Reakcja jadrowa

99 Views 1 Comment
Reakcja jadrowa
0 votes, 0.00 avg. rating (0% score)

rp_nauka95.jpgCoraz szersze zastosowanie w badaniach cienkich warstw dielektrycznych znajduje metoda reakcji jądrowych . Zasada tej metody polega na bombardowaniu tarczy cząstkami, które po przeniknięciu do wnętrza jądra wywołują reakcję prowadzącą do przekształcenia jądra z wydzieleniem cząstki innego rodzaju. Wyemitowane w wyniku reakcji jądrowej cząstki mają energię charakterystyczną dla danego pierwiastka biorącego udział w reakcji. Mierząc, energię i względną intensywność emitowanych cząstek, można określić rodzaj i koncentrację pierwiastków występujących w warstwie dielektrycznej. Typowym przykładem takiej reakcji jądrowej zastosowanej do badania odchyleń od budowy stechiometrycznej warstwy SiO2 jest 160/d, p/170. Błąd w określeniu zawartości tlenu wynosi tutaj około 2% . Do bardziej interesujących metod, stosowanych w badaniach struktury warstw dielektrycznch, należy spektroskopia elektronów Augera. Istota zjawiska emisji przez atom elektronu Augera jest następująca , Jeżeli atomowi zostanie dostarczona odpowiednio duża energia , to może to spowodować emisję elektronu z wewnętrznej powłoki. Ten stan wzbudzenia atomu jest likwidowany przez przejście na tę powłokę elekronu z wyższej powłoki.

Przeczytaj także: Warstwy krzemowe

Właściwości elektryczne warstw krzemowych zależą również od ich struktury, jednak nie tak silnie jak dyfuzyjność. Zależność ta jest związana głównie z obecnością w materiale polikrystalicznym silnie zdefektowanych obszarów, jakimi są granice ziaren. Granice ziaren składają się z kilku warstw nieuporządkowanych atomów, stanowiących obszar przejściowy między różnie zorientowanymi sąsiednimi krystalitami. Wpływ granic ziaren na zjawiska transportu nośników w materiałach półprzewodnikowych omawiają uproszczone fenomenologiczne teorie, jednak nie powstała dotychczas ogólna teoria transportu nośników w polikryształach. Właściwości elektryczne warstw polikrystalicznych można wyjaśnić na podstawie modelu pułapkowania nośników, W modelu tym zakłada się, że niewysycone wiązania atomów, leżących w nieuporządkowanych granicach ziaren, są źródłem głębokich stanów pułapkowych. Stany pułapkowe, leżące w obrębie przerwy energetycznej, mają zdolność wychwytywania swobodnych nośników ładunku, co prowadzi do zmniejszenia przewodnictwa elektrycznego. Naładowane elektrycznie centra pułapkowe wytwarzają wokół siebie bariery potencjału, które utrudniają przemieszczanie się swobodnych nośników od. jednego krystalitu do drugiego, a tym samym redukują ich ruchliwość. Silnie naładowane elektrycznie granice ziaren powodują wytworzenie się w ich sąsiedztwie obszaru zubożonego w swobodne nośniki, który rozciąga się na pewną odległość od granicy ziarna do jego wnętrza, dając wypadkową objętościową neutralność ładunku.

………
– formowanie bonsai
– studia podyplomowe język angielski w edukacji wczesnoszkolnej kraków
– dopłaty bezpośrednie dla rolników Toruń, Bydgoszcz, Grudziądz
– Szkolenia BHP Nowe Miasto Lubawskie
– Egzamin myśliwski Testy przygotowujące do egzaminu
– anteny telewizyjne ustawianie wawer
– fachowiec od anten satelitarnych rembertów
– Obiegi wodne i parowe w kotłowniach
– specjalista od ustawiania anten satelitarnych wawer
– warszawa rembertów dobry fachowiec od anten satelitarnych

Pozostałe artykuły o szkole i nauce:

In : Szkoła

About the author

Related Articles

1 Comment

  1. Angielski dla dzieci

    Pozostawiam po sobie jakiś ślad na blogu:)

Comments are closed.

Ankieta:

Czy warsztaty z angielskiego dla dzieci w Białymstoku czy Wrocławiu są na odpowiednio wysokim poziomie?

View Results

Loading ... Loading ...
Komentarze
Menu: